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http://repositorio.ugto.mx/handle/20.500.12059/6471| Título: | Estudio teórico del Silicio Poroso para aplicaciones de Sensado de O3, CO, NO2 y SO2 |
| Autor: | HÉCTOR ANDRÉS GÓMEZ ÁLVAREZ |
| ID del Autor: | info:eu-repo/dai/mx/cvu/959224 |
| Contributor: | Igor Guryev |
| Contributor's IDs: | info:eu-repo/dai/mx/cvu/386553 |
| Resumen: | En este trabajo de tesis se presentan cálculos de primeros principios para estudiar las propiedades estructurales y electrónicas del Silicio Poroso (SiP) interactuando con las moléculas SO2, NO2, O3 y CO, por ser de gran interés en su aplicación como sensor de gases. Las configuraciones más favorables de interacción entre el SiP y las moléculas, se obtuvieron mediante la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT). De acuerdo con los resultados obtenidos, el SiP pudiera actuar como un material absorbente de gases, el cuál en todos los casos, presenta cambios en su estructura de bandas electrónica, siendo el sistema SiP-SO2 una propuesta interesante, dado que la aparición de estados interbanda pudiera verse reflejada en las propiedades luminiscentes del SiP. |
| Fecha de publicación: | nov-2021 |
| Editorial: | Universidad de Guanajuato |
| Licencia: | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 |
| URI: | http://repositorio.ugto.mx/handle/20.500.12059/6471 |
| Idioma: | spa |
| Aparece en las colecciones: | Maestría en Ingeniería Electrónica Aplicada |
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