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dc.rights.licensehttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.creatorMaría Guadalupe Bedolla Ibarraes_MX
dc.date.accessioned2022-09-23T17:06:33Z-
dc.date.available2022-09-23T17:06:33Z-
dc.date.issued2018-11-26-
dc.identifier.urihttp://repositorio.ugto.mx/handle/20.500.12059/6751-
dc.description.abstractSe aprovecharon las propiedades termo-ópticas del silicio y de un material acrílico para implementar un sensor de temperatura. El elemento sensor se fabricó utilizando una oblea de silicio con 5 μm de espesor y una capa delgada de acrílico. En el presente trabajo se presenta una aproximación del modelado espectral de la pila de capas que conforman el elemento sensor. Además, para caracterizar experimentalmente el comportamiento del elemento sensor se midió el espectro de la pila de capas con respecto al cambio de temperatura aplicado. Finalmente se implementó un circuito opto-electrónico básico que nos permitió establecer la relación del cambio de voltaje versus el de temperatura. Los resultados muestran un sensor con alto grado de precisión en un rango de temperatura pequeño.es_MX
dc.language.isospaes_MX
dc.publisherUniversidad de Guanajuatoes_MX
dc.relationhttps://www.jovenesenlaciencia.ugto.mx/index.php/jovenesenlaciencia/article/view/2800/2055-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_MX
dc.sourceJóvenes en la ciencia: XXIV Verano de la ciencia UG. Vol. 4 Núm. 1 (2018)es_MX
dc.titleSensor de temperatura ópticoes_MX
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees_MX
dc.subject.ctiinfo:eu-repo/classification/cti/7es_MX
dc.subject.ctiinfo:eu-repo/classification/cti/33-
dc.subject.keywordsFranjas espectraleses_MX
dc.subject.keywordsPropiedades ópticases_MX
dc.subject.keywordsSensores_MX
dc.subject.keywordsTemperaturaes_MX
dc.subject.keywordsSilicioes_MX
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_MX
dc.creator.twoEVERARDO VARGAS RODRIGUEZes_MX
dc.creator.idtwoinfo:eu-repo/dai/mx/cvu/208039es_MX
dc.description.abstractEnglishThe thermo-optical properties of silicon and acrylic material were used to implement a temperature sensor. The sensing element was fabricated by using a thin layer of acrylic and a 5 μm thick silicon wafer. In the present work an approximation to model the spectral response of the stack of layers that conform the element sensor is presented. Moreover, in order to experimentally characterize the behaviour of the sensing element the stack of layers spectrum with respect to the change of temperature was measured. Finally, a basic opto-electronic circuit was implemented to stablish a relationship between the voltage changes versus the temperature. The results show a sensor with a high degree of precision in a small temperature range.en
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